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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > APT50GN120L2DQ2G
APT50GN120L2DQ2G
APT50GN120L2DQ2G
Modelo do Produto:
APT50GN120L2DQ2G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
IGBT 1200V 134A 543W TO264
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
24933 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.APT50GN120L2DQ2G.pdf2.APT50GN120L2DQ2G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.1V @ 15V, 50A
Condição de teste:800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:28ns/320ns
Alternando Energia:4495µJ (off)
Série:-
Power - Max:543W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-264-3, TO-264AA
Outros nomes:APT50GN120L2DQ2GMI
APT50GN120L2DQ2GMI-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:NPT, Trench Field Stop
portão de carga:315nC
Descrição detalhada:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole
Atual - Collector Pulsada (ICM):150A
Atual - Collector (Ic) (Max):134A
Email:[email protected]

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