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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - módulos > APT50GF120JRDQ3
APT50GF120JRDQ3
APT50GF120JRDQ3
Modelo do Produto:
APT50GF120JRDQ3
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
IGBT 1200V 120A 521W SOT227
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
59335 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.APT50GF120JRDQ3.pdf2.APT50GF120JRDQ3.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:3V @ 15V, 75A
Embalagem do dispositivo fornecedor:ISOTOP®
Série:-
Power - Max:521W
Caixa / Gabinete:ISOTOP
Outros nomes:APT50GF120JRDQ3MI
APT50GF120JRDQ3MI-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor:No
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce:5.32nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:NPT
Descrição detalhada:IGBT Module NPT Single 1200V 120A 521W Chassis Mount ISOTOP®
Atual - Collector Cutoff (Max):750µA
Atual - Collector (Ic) (Max):120A
Configuração:Single
Email:[email protected]

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