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A2G35S200-01SR3
- Modelo do Produto:
- A2G35S200-01SR3
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
- Quantidade em estoque:
- 47882 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- A2G35S200-01SR3.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Teste: | 48V |
| Tensão - M: | 125V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | NI-400S-2S |
| Série: | - |
| Potência: | 180W |
| Caixa / Gabinete: | NI-400S-2S |
| Outros nomes: | 935320919118 |
| Fator de ruído: | - |
| Ganho: | 16.1dB |
| Freqüência: | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| Descrição detalhada: | RF Mosfet LDMOS 48V 291mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 16.1dB 180W NI-400S-2S |
| Potência nominal: | - |
| Atual - Teste: | 291mA |
| Email: | [email protected] |
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