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A2G35S200-01SR3
- Artikelnummer:
- A2G35S200-01SR3
- Hersteller:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Beschreibung:
- AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
- Bestandsmenge:
- 47882 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- A2G35S200-01SR3.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Prüfung: | 48V |
| Spannung - Nennwert: | 125V |
| Transistor-Typ: | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse: | NI-400S-2S |
| Serie: | - |
| Leistung: | 180W |
| Verpackung / Gehäuse: | NI-400S-2S |
| Andere Namen: | 935320919118 |
| Rauschmaß: | - |
| Gewinnen: | 16.1dB |
| Frequenz: | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| detaillierte Beschreibung: | RF Mosfet LDMOS 48V 291mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 16.1dB 180W NI-400S-2S |
| Aktuelle Bewertung: | - |
| Strom - Test: | 291mA |
| Email: | [email protected] |
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