71V65803S100BGI está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para 71V65803S100BGI, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para 71V65803S100BGI por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre 71V65803S100BGI com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
71V65803S100BGI
- Modelo do Produto:
- 71V65803S100BGI
- Fabricante:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Descrição:
- IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
- Status sem chumbo:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade em estoque:
- 34036 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 71V65803S100BGI.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | - |
| Tensão - Fornecimento: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Tecnologia: | SRAM - Synchronous ZBT |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 119-PBGA (14x22) |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tray |
| Caixa / Gabinete: | 119-BGA |
| Outros nomes: | IDT71V65803S100BGI IDT71V65803S100BGI-ND |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memória: | Volatile |
| Tamanho da memória: | 9Mb (512K x 18) |
| Interface de memória: | Parallel |
| Formato de memória: | SRAM |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrição detalhada: | SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 100MHz 5ns 119-PBGA (14x22) |
| Freqüência de relógio: | 100MHz |
| Número da peça base: | IDT71V65803 |
| Tempo de acesso: | 5ns |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para 71V65803S100BGI
Latest Notícias
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga
- Vishay lança uma embalagem minilada de alto brilho azul e verde puro LED
- Ansonmei lançou um sensor de posição indutiva para o mercado industrial e de transporte
- Ruisa inicia a antiga fábrica para aumentar o dispositivo de energia, o terremoto afeta a saída de DRAM leve
- O microchip permite a capacidade de produção do TSMC e aumenta os aumentos de preços
- Ruisa lançou a nova série RA0 Ultra -Low Power Entry -Lvel MCU
- Melexis lança um chip de comutação indutor integrado completo