71V65803S100BGIは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーは71V65803S100BGIのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
71V65803S100BGIをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
71V65803S100BGI
- 部品型番:
- 71V65803S100BGI
- 説明:
- IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
- 鉛フリー:
- リード/ RoHS非対応
- 在庫数量:
- 34036 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- 71V65803S100BGI.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
| 電源電圧 - : | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 技術: | SRAM - Synchronous ZBT |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 119-PBGA (14x22) |
| シリーズ: | - |
| パッケージング: | Tray |
| パッケージ/ケース: | 119-BGA |
| 他の名前: | IDT71V65803S100BGI IDT71V65803S100BGI-ND |
| 運転温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| メモリタイプ: | Volatile |
| 記憶容量: | 9Mb (512K x 18) |
| メモリインタフェース: | Parallel |
| メモリ形式: | SRAM |
| メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 詳細な説明: | SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 100MHz 5ns 119-PBGA (14x22) |
| クロック周波数: | 100MHz |
| ベース部品番号: | IDT71V65803 |
| アクセス時間: | 5ns |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルの71V65803S100BGI
最新ニュース
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量
- Vishayは、ミニルされたパッケージを発売します高い明るさの小さな青と純粋な緑のLED
- Ansonmeiは、産業および輸送市場向けに帰納的ポジションセンサーを立ち上げました
- Ruisaは古い工場を起動して電源装置を増やし、地震はDRAM出力穏やかに影響します
- MicrochipはTSMCの生産能力を有効にし、価格の上昇を引き上げます
- Ruisaは新しいRA0シリーズUltra -Low Power Entry -Level MCUを発売しました
- Melexisは、完全な統合インダクタスイッチチップを起動します