2SK3703-1E
2SK3703-1E
Modelo do Produto:
2SK3703-1E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 30A
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
57678 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
2SK3703-1E.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220F-3SG
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:26 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max):2W (Ta), 25W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:2SK3703-1E-ND
2SK3703-1EOS
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:7 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1780pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:N-Channel 60V 30A (Ta) 2W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:30A (Ta)
Email:[email protected]

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