2SK3703-1E
2SK3703-1E
Número de pieza:
2SK3703-1E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 30A
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
57678 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
2SK3703-1E.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220F-3SG
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:26 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo):2W (Ta), 25W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Otros nombres:2SK3703-1E-ND
2SK3703-1EOS
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:7 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1780pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:N-Channel 60V 30A (Ta) 2W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Ta)
Email:[email protected]

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