1.Dados ocidentaisAnunciada divisão, o disco rígido mecânico e os negócios de memória flash serão independentes

Dados ocidentaisFoi anunciado no 5º horário local que, no segundo semestre de 2024, a operação independente dos negócios de Business Mechanical Disk (HDD) e memória flash serão implementados.A Western Data anunciou em 30 de outubro de 2023 que planeja separar seus negócios de disco rígido e flash e criar duas empresas listadas independentes para se concentrar na estratégia de mercados específicos.

Atualmente,Dados ocidentaisA equipe de separação está estabelecendo entidades legais em 18 países onde a empresa está localizada para preparar modelos financeiros independentes da empresa.O CEO da Western Data, David Goeckeler, atuará como CEO da nova empresa de negócios da Flash Memory, e a Irving Tan, vice -presidente de operações globais, atuará como CEO da nova empresa de negócios de disco rígido mecânico.

2. A armadura aumenta a memória flash de Nand, o principal grupo de fábrica de controle está feliz em ver

De acordo com o Conselho de Ciência e Tecnologia, citou diariamente o Daily Econômico Taiwan, o Daily Economic da China. Anteriormente, Kai Xia afirmou que reexaminaria a estratégia de redução de produção de NAND Flash, que aumentará a taxa operacional para 90%neste mês neste mês .O CEO da Qunlian Pan Jiancheng disse que Qunlian ainda está fora de estoque. Se a fábrica original pode fornecer suprimentos estáveis ​​por preços razoáveis, é uma coisa boa para Qunlian.

Chen Libai, presidente da ADIB, analisou que Kixia ainda pode estar em um estado de perda de dinheiro, por isso é necessário aumentar a taxa de utilização da capacidade.No entanto, mesmo que a capacidade de produção seja aumentada neste mês, o aumento das remessas esperará até junho e o preço da memória flash aumentará para a linha de lucro.

3. ReduzaO aumento do preço é eficaz, a receita do mercado de memória flash aumenta bastante

De acordo com a Rick Technology, as estatísticas da Jibang Consulting apontaram que a receita total do mercado global de memória flash da NAND no quarto trimestre de 2023 atingiu US $ 11,49 bilhões, um aumento de 24,5% -em -em outubro.Um dos principais motivos é que os principais fabricantes reduziram a produção em larga escala e finalmente puxaram o inventário. O mercado de memória flash começou a ser popular e o preço do SSD não é mais tão acessível.

O preço do contrato da memória flash de Nand na temporada subiu cerca de 25%, dos quaisSamsungO preço médio de venda aumentou 12%,Dados ocidentaisTambém aumentou 10%.A Jibang Consulting prevê que a receita do setor de memória flash da NAND no primeiro trimestre de 2024 aumentará cerca de 20%.

4. imagemsensorA demanda é forte, a Sony coloca ordens para um grande lugarTSMCFábrica de Kumamoto

De acordo com o Conselho de Ciência e Tecnologia, citou diariamente o Taiwan Economic Daily, CMOS Image, CMOS Imagesensor(CIS) Espera -se que seja inaugurado uma nova onda de especificações e atualizações, e o layout global dos sprints da Sony Japanese da CEI.SonyTSMCConecte a nova fábrica Kumamoto no Japão.indústriaÉ apontado que, devido ao pequeno volume e baixo custo, a participação de mercado é maior que a do CCD (elemento de acoplamento sensível) e é amplamente utilizado emcelularAssim comocarro, Controle de segurança, assistência médica e outros campos.

5.SamsungO primeiro show de 36 GB de memória HBM3E

De acordo com a tecnologia rápida,SamsungAlguns dias atrás, foi anunciado o primeiro Ultra -Large de 36 GB do mundo -compensação de nova banda alta HBM3E. Na conferência de tecnologia NVIDIA GTC 2024, aberta no início da manhã de 19 de março, a Samsung será exibida publicamente para o primeiro tempo.

SamsungO HBM3E usa partículas de 24 GB e 12 camadas de empilhamento (12h), de modo a atingir uma única capacidade de 36 GB, e a largura de banda também é aumentada para 1280 GB/s. Em comparação com a capacidade anterior de 8H HBM3 e a largura de banda, a densidade vertical aumenta mais de 20%.NvidiaO cartão de aceleração do H200 AI começará com o Samsung 36GB HBM3E. São necessários oito para atingir a capacidade de 6144 bits e 216 GB, excedendo assim a memória HBM3 de 192 GBAMD Instinto MI300X.