1.Datos occidentalesDivisión anunciada, el negocio mecánico de disco duro y memoria flash será independiente

Datos occidentalesSe anunció en la quinta hora local que en la segunda mitad de 2024, se implementará la operación independiente del negocio de disco duro mecánico (HDD) y el negocio de memoria flash.Western Data anunció el 30 de octubre de 2023 que planea separar su negocio de disco duro y su negocio Flash, y crear dos compañías independientes que figuran en la estrategia de mercados específicos.

Actualmente,Datos occidentalesEl equipo de separación está estableciendo entidades legales en 18 países donde el negocio se encuentra para preparar modelos financieros independientes de la compañía.El CEO de Western Data, David Goeckeler, servirá como CEO de la nueva compañía comercial de Flash Memory, e Irving Tan, vicepresidente de operaciones globales, servirá como CEO de la nueva compañía de negocios de disco duro mecánico.

2. La armadura aumenta la memoria flash nand, el grupo de fábrica de control principal está feliz de ver

Según la Junta de Ciencia y Tecnología, diariamente citó el Taiwan Economic Daily, el Daily Economic de China. Anteriormente, Kai Xia declaró que volvería a examinar la estrategia de reducción de producción de NAND Flash, que aumentará la tasa operativa al 90%en este mes. .El CEO de Qunlian Pan Jiancheng dijo que Qunlian todavía está agotado. Si la fábrica original puede proporcionar un suministro estable para precios razonables, es algo bueno para Qunlian.

Chen Libai, presidente de ADIB, analizó que Kaixia aún puede estar en un estado de pérdida de dinero, por lo que es necesario aumentar la tasa de utilización de la capacidad.Sin embargo, incluso si la capacidad de producción se incrementa este mes, el aumento de los envíos esperará hasta junio, y el precio de memoria flash aumentará a la línea de ganancias.

3. ReducirEl aumento del precio es efectivo, los ingresos del mercado de memoria flash aumentan enormemente

Según Quick Technology, Jibang Consulting Statistics señaló que los ingresos totales del mercado global de memoria Flash NAND en el cuarto trimestre de 2023 alcanzaron los US $ 11.49 mil millones, un aumento del 24.5%mes -eno mes.Una razón clave es que los principales fabricantes han reducido la producción a gran escala y finalmente han retirado el inventario. El mercado de memoria Flash ha comenzado a ser popular, y el precio de SSD ya no es tan asequible.

El precio del contrato de la memoria flash NAND en la temporada se ha disparado en aproximadamente un 25%, de los cualesSamsungEl precio de venta promedio ha aumentado en un 12%,Datos occidentalesTambién subió un 10%.Jibang Consulting predice que los ingresos de la industria de la memoria de NAND Flash en el primer trimestre de 2024 aumentarán en aproximadamente un 20%.

4. ImagensensorLa demanda es fuerte, Sony hace órdenes para un lugar grandeTSMCFábrica de kumamoto

Según la Junta de Ciencia y Tecnología, diariamente citó el Taiwan Economic Daily, la imagen CMOS, la imagen CMOSsensor(CIS) Se espera que introduzca una nueva ola de especificaciones y actualizaciones, y el diseño relacionado con el negocio japoneses líderes de la CEI, Sony, el diseño relacionado con los sprints.SonyTSMCConecte la nueva fábrica de Kumamoto en Japón.industriaSe señala que debido a un pequeño volumen y bajo costo, la cuota de mercado es más alta que la de CCD (elemento de acoplamiento sensible), y se usa ampliamente enTeléfono móvilAsí comoauto, Control de seguridad, atención médica y otros campos.

5.SamsungEl primer show 36GB HBM3E Memoria

Según la tecnología rápida,SamsungHace unos días, se anunció el primer HBM3E de la primera memoria de alta banda de 36 GB de 36 GB. tiempo.

SamsungEl HBM3E utiliza partículas de 24 GB y 12 capas de apilamiento (12 h), para lograr una sola capacidad de 36 GB, y el ancho de banda también aumenta a 1280 GB/s. En comparación con la capacidad y el ancho de banda de 8H HBM3, la densidad vertical aumenta más que 20%.NvidiaLa tarjeta de aceleración H200 AI comenzará con Samsung 36GB HBM3E. Solo se necesitan ocho para alcanzar la capacidad de 6144 bits y 216 GB, superando así la memoria HBM3 de 192GBAmd Instinct MI300X.