A Infineon Technologies AG lançou 6 novos dispositivos como a expansão do portfólio de produtos do Diodo SiC sic sic sic sic sic 1200V encapsulado como d2pak, o que torna o design mais compacto e mais econômico, elimina elimina o alfinete do meio para fornecer 4,7 mm de distância de escalada e distância de 4,4 mm de intervalo.Comparados com a embalagem D2PAK padrão, esses novos dispositivos têm hábitos de segurança mais altos, portanto, são adequados para aplicações como energia industrial e estações de carregamento DC, fonte de alimentação ininterrupta e inversores de cordas solares.

O novo dispositivo usa a tecnologia Coolsic Schartki 1200 V da Yingfeeling. A faixa de corrente nominal do G5 é 2a a 20a. Ele pode fornecer a melhor capacidade de tensão e onda alta do mesmo tipo. com temperatura.Quando usados ​​em uma frequência mais alta de comutador, essas funções podem simplificar o design com requisitos de resfriamento mais baixos e magnéticos menores.Comparado com a solução SI, usando este novo diodo SiC, os designers podem aumentar a densidade de potência e a confiabilidade para um novo nível.

As características do diodo Schottky de 1200V

• A melhor tensão para a frente (V f)
• Sem taxa de recuperação reversa
• A leve dependência de temperatura positiva de V f
• Capacidade de corrente de primeira classe da onda
• Excelente desempenho térmico
• Melhorar a eficiência do sistema na baixa frequência do comutador
• Aumentar a densidade de potência quando a alta frequência de comutação
• A corrente nominal é tão alta quanto 40a