Az Infineon Technologies AG 6 új eszközt indított el, amikor a hűvös SIC SIC SIC SIC Diode 1200V termékportfóliót a D2PAK -ként kapszulázott termékportfólióval, amely a formatervezést kompaktabb, költséghatékonyabbá teszi, kiküszöböli a középső csapot, hogy 4,7 mm -t biztosítson, hogy biztosítsák a 4,7 mm -t. mászási távolság és 4,4 mm rés távolság.A szokásos D2PAK csomagoláshoz képest ezeknek az új eszközöknek magasabb biztonsági szokásai vannak, tehát olyan alkalmazásokhoz alkalmasak, mint az ipari energia- és DC töltőállomások, a folyamatos tápegység és a napenergia -inverterek.

Az új eszköz a YingFeeling Coolsic Schartki Diode 1200 V technológiáját használja. A G5 névleges áramtartománya 2a -tól 20A -ig. hőmérsékleten.Ha magasabb kapcsolási frekvencián használják, ezek a funkciók egyszerűsíthetik a kialakítást alacsonyabb hűtési követelményekkel és kisebb mágneses.Az SI megoldáshoz képest az új SIC dióda használatával a tervezők növelhetik az energia sűrűségét és a megbízhatóságot egy új szintre.

Az 1200 V Schottky dióda jellemzői

• A legjobb előretekintő feszültség (V F)
• Nincs fordított helyreállítási díj
• V f enyhe pozitív hőmérsékleti függősége
• Első osztályú hullámáram -kapacitás
• Kiváló termikus teljesítmény
• Javítsa a rendszer hatékonyságát alacsony kapcsolási frekvencián
• Növelje az energia sűrűségét, ha magas kapcsolási frekvenciát mutat
• A névleges áram akár 40A -ra is