XS1-A12A-128-FB217-C10 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla XS1-A12A-128-FB217-C10, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla XS1-A12A-128-FB217-C10 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup XS1-A12A-128-FB217-C10 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
XS1-A12A-128-FB217-C10
- Part Number:
- XS1-A12A-128-FB217-C10
- Producent:
- XMOS
- Opis:
- IC MCU 32BIT 128KB SRAM 217FBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 45960 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.XS1-A12A-128-FB217-C10.pdf2.XS1-A12A-128-FB217-C10.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 0.90 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 217-FBGA (16x16) |
| Prędkość: | 1000MIPS |
| Seria: | XS1 |
| Wielkość pamięci RAM: | - |
| Typ pamięci programu: | SRAM |
| Rozmiar pamięci programu: | 128KB (32K x 32) |
| Peryferia: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 217-LFBGA |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Liczba I / O: | 90 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | XCore XS1 Microcontroller IC 32-Bit 12-Core 1000MIPS 128KB (32K x 32) SRAM 217-FBGA (16x16) |
| Konwertery danych: | A/D 8x12b |
| rdzeń Rozmiar: | 32-Bit 12-Core |
| Core Processor: | XCore |
| Łączność: | Configurable |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do XS1-A12A-128-FB217-C10
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS