XRT75R06DIB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla XRT75R06DIB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla XRT75R06DIB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup XRT75R06DIB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
XRT75R06DIB
- Part Number:
- XRT75R06DIB
- Producent:
- Exar Corporation
- Opis:
- IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 21160 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- XRT75R06DIB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 217-BGA (23x23) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 217-BBGA |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba obwodów: | 6 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 4 (72 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | LIU |
| zawiera: | - |
| Funkcjonować: | Line Interface Unit (LIU) |
| szczegółowy opis: | Telecom IC Line Interface Unit (LIU) 217-BGA (23x23) |
| Obecny - Dostawa: | 725mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do XRT75R06DIB
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen