XQV300-4BG352N jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla XQV300-4BG352N, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla XQV300-4BG352N przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup XQV300-4BG352N z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
XQV300-4BG352N
- Part Number:
- XQV300-4BG352N
- Producent:
- Xilinx
- Opis:
- IC FPGA 2.5V 300K GATES 352-BGA
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 21956 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- XQV300-4BG352N.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | 352-MBGA (35x35) |
| Wszystkich RAM Bity: | 6912 |
| Shell Style: | 2.375 V ~ 2.625 V |
| Seria: | Virtex® QPro™ |
| Polaryzacja: | 352-LBGA, Metal |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Ilość Logic Elements / Komórki: | 1536 |
| Liczba I / O: | 322970 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Numer części producenta: | XQV300-4BG352N |
| Opis: | IC FPGA 2.5V 300K GATES 352-BGA |
| rdzeń: | 65536 |
| Częstotliwość zegara: | 260 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do XQV300-4BG352N
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU