XQ18V04VQ44N jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla XQ18V04VQ44N, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla XQ18V04VQ44N przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup XQ18V04VQ44N z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
XQ18V04VQ44N
- Part Number:
- XQ18V04VQ44N
- Producent:
- Xilinx
- Opis:
- IC CONFIG PROM 4MBIT 44TQFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 43649 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- XQ18V04VQ44N.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | 44-VQFP (10x10) |
| Oprogramowanie: | 4Mb |
| Shell Style: | 3 V ~ 3.6 V |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tray |
| Polaryzacja: | 44-TQFP |
| Inne nazwy: | Q7549373 Q9356102 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Numer części producenta: | XQ18V04VQ44N |
| Opis: | IC CONFIG PROM 4MBIT 44TQFP |
| Dostępne Zakres częstotliwości: | In System Programmable |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do XQ18V04VQ44N
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen