XCR3512XL-10FTG256I jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla XCR3512XL-10FTG256I, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla XCR3512XL-10FTG256I przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup XCR3512XL-10FTG256I z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
XCR3512XL-10FTG256I
- Part Number:
- XCR3512XL-10FTG256I
- Producent:
- Xilinx
- Opis:
- IC CPLD 512MC 9NS 256BGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29686 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.XCR3512XL-10FTG256I.pdf2.XCR3512XL-10FTG256I.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie zasilania - Wewnętrzne: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 256-FTBGA (17x17) |
| Seria: | CoolRunner XPLA3 |
| Programowalny Rodzaj: | In System Programmable (min 1K program/erase cycles) |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 256-LBGA |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Ilość Macrocells: | 512 |
| Ilość Logic Elements / Blocks: | 32 |
| Liczba I / O: | 212 |
| Ilość Gates: | 12000 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| TPD Czas opóźnienia (1) Max: | 9.0ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do XCR3512XL-10FTG256I
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia