XCKU115-L1FLVB2104I jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla XCKU115-L1FLVB2104I, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla XCKU115-L1FLVB2104I przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup XCKU115-L1FLVB2104I z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
XCKU115-L1FLVB2104I
- Part Number:
- XCKU115-L1FLVB2104I
- Producent:
- Xilinx
- Opis:
- IC FPGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55649 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.XCKU115-L1FLVB2104I.pdf2.XCKU115-L1FLVB2104I.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 0.880 V ~ 0.979 V |
| Wszystkich RAM Bity: | 77721600 |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 2104-FCBGA (47.5x47.5) |
| Seria: | Kintex® UltraScale™ |
| Package / Case: | 2104-BBGA, FCBGA |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 100°C (TJ) |
| Ilość Logic Elements / Komórki: | 1451100 |
| Ilość Labs / CLBs: | 82920 |
| Liczba I / O: | 832 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2A (4 Weeks) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do XCKU115-L1FLVB2104I
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM