WT325BI0032.000000 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla WT325BI0032.000000, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla WT325BI0032.000000 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup WT325BI0032.000000 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
WT325BI0032.000000
- Part Number:
- WT325BI0032.000000
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- OSC TCXO 32.000MHZ CLP SNWV SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48680 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- WT325BI0032.000000.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3V |
| Rodzaj: | TCXO |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Seria: | SaRonix-eCera™ WT |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 4-SMD, No Lead |
| Wydajność: | Clipped Sine Wave |
| Inne nazwy: | WT325BI0032.000000TR WT325BI0032000000 |
| temperatura robocza: | -30°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.047" (1.20mm) |
| Funkcjonować: | - |
| Stabilność częstotliwości: | ±2ppm |
| Częstotliwość: | 32MHz |
| szczegółowy opis: | 32MHz TCXO Clipped Sine Wave Oscillator 3V 4-SMD, No Lead |
| Obecny - Dostawa (Max): | 2mA |
| Obecny - Dostawa (Wyłącz) (maks): | - |
| Rezonator bazowy: | Crystal |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do WT325BI0032.000000
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił