WSE4S-3P2130V jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla WSE4S-3P2130V, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla WSE4S-3P2130V przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup WSE4S-3P2130V z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
WSE4S-3P2130V
- Part Number:
- WSE4S-3P2130V
- Producent:
- SICK
- Opis:
- SEN PHT PNP LO M8 3PIN
- Wielkość zbiorów:
- 47031 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- WSE4S-3P2130V.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 10 V ~ 30 V |
| Seria: | W4S-3 Inox |
| Metoda pomiaru: | Through-Beam |
| Zasięg: | 196.850" (5m) |
| Czas odpowiedzi: | 500µs |
| Konfiguracja wyjściowa: | PNP |
| Inne nazwy: | 1052893 |
| temperatura robocza: | -30°C ~ 70°C (TA) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 3 Weeks |
| Źródło światła: | Red (650nm) |
| Stopień ochrony: | IP66, IP67, IP68, IP69K |
| Metoda połączenia: | Connector, M8 |
| Długość kabla: | - |
| Typ regulacji: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do WSE4S-3P2130V
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia