WR111180-49F5-G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla WR111180-49F5-G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla WR111180-49F5-G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup WR111180-49F5-G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
WR111180-49F5-G
- Part Number:
- WR111180-49F5-G
- Producent:
- TDK Corporation
- Opis:
- RX 1 COIL, 1 LYR 31.8UH
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48983 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- WR111180-49F5-G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | 1 Coil, 1 Layer |
| Tolerancja: | ±5% |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.433" Dia x 0.063" H (11.00mm x 1.60mm) |
| Seria: | WR |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Inne nazwy: | 445-175306 |
| temperatura robocza: | - |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Indukcyjność: | 31.8µH |
| Funkcjonować: | Receiver |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| szczegółowy opis: | 1 Coil, 1 Layer 31.8µH Wireless Charging Coil Receiver 1.34 Ohm |
| DC Resistance (DCR): | 1.34 Ohm |
| Aktualna ocena: | - |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do WR111180-49F5-G
Latest Aktualności
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku