W987D2HBJX7E TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla W987D2HBJX7E TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla W987D2HBJX7E TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup W987D2HBJX7E TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
W987D2HBJX7E TR
- Part Number:
- W987D2HBJX7E TR
- Producent:
- Winbond Electronics Corporation
- Opis:
- IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 42617 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- W987D2HBJX7E TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 15ns |
| Napięcie - Dostawa: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Technologia: | SDRAM - Mobile LPSDR |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 90-VFBGA (8x13) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 90-TFBGA |
| Inne nazwy: | W987D2HBJX7E TR-ND W987D2HBJX7ETR |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 128Mb (4M x 32) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | DRAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 133MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13) |
| Częstotliwość zegara: | 133MHz |
| Czas dostępu: | 5.4ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do W987D2HBJX7E TR
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU