VUO110-18NO7 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VUO110-18NO7, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VUO110-18NO7 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VUO110-18NO7 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VUO110-18NO7
- Part Number:
- VUO110-18NO7
- Producent:
- IXYS Corporation
- Opis:
- RECT BRIDG 2PH 127A 1800V PWS-E1
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52191 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- VUO110-18NO7.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | 1.8kV |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.13V @ 50A |
| Technologia: | Standard |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PWS-E1 |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | PWS-E1 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 32 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Three Phase |
| szczegółowy opis: | Bridge Rectifier Three Phase Standard 1.8kV Chassis Mount PWS-E1 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 100µA @ 1800V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 127A |
| Podstawowy numer części: | VUO110 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VUO110-18NO7
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia