VSB3200-M3/54 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VSB3200-M3/54, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VSB3200-M3/54 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VSB3200-M3/54 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VSB3200-M3/54
- Part Number:
- VSB3200-M3/54
- Producent:
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO201AD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 45400 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.VSB3200-M3/54.pdf2.VSB3200-M3/54.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Schottky |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 3A |
| Napięcie - Podział: | DO-201AD |
| Seria: | TMBS® |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Odporność @ Jeżeli F: | 175pF @ 4V, 1MHz |
| Polaryzacja: | DO-201AD, Axial |
| Inne nazwy: | VSB3200-M3/54GITR VSB3200M354 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 21 Weeks |
| Numer części producenta: | VSB3200-M3/54 |
| Rozszerzony opis: | Diode Schottky 200V 3A Through Hole DO-201AD |
| Diode Configuration: | 60µA @ 200V |
| Opis: | DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO201AD |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1.2V @ 3A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 200V |
| Pojemność @ VR F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VSB3200-M3/54
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił