VS-ETH3007T-N3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VS-ETH3007T-N3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VS-ETH3007T-N3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VS-ETH3007T-N3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VS-ETH3007T-N3
- Part Number:
- VS-ETH3007T-N3
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC
- Wielkość zbiorów:
- 28792 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- VS-ETH3007T-N3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 2.1V @ 30A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 650V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220AC |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | FRED Pt® |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 37ns |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-2 |
| Inne nazwy: | VS-ETH3007T-N3GI VS-ETH3007T-N3GITR VS-ETH3007T-N3GITR-ND |
| Temperatura pracy - złącze: | -55°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Typ diody: | Standard |
| szczegółowy opis: | Diode Standard 650V 30A Through Hole TO-220AC |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 30µA @ 650V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 30A |
| Pojemność @ VR F: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VS-ETH3007T-N3
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia