VO2611 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VO2611, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VO2611 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VO2611 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VO2611
- Part Number:
- VO2611
- Producent:
- Vishay / Semiconductor - Opto Division
- Opis:
- OPTOISO 5.3KV OPEN DRAIN 8DIP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53253 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.VO2611.pdf2.VO2611.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Napięcie - Izolacja: | 5300Vrms |
| Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ): | 1.4V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-DIP |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | 23ns, 7ns |
| Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.): | 100ns, 100ns |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Typ wyjścia: | Open Drain |
| Inne nazwy: | 751-1380-5 VO2611-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 100°C |
| Liczba kanałów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 28 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wejścia - Side 1 / Side 2: | 1/0 |
| Typ wejścia: | DC |
| szczegółowy opis: | Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 5300Vrms 1 Channel 15kV/µs CMTI 8-DIP |
| Szybkość przesyłania danych: | 10MBd |
| Obecny - Wyjście / Channel: | 50mA |
| Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.): | 20mA |
| Współczynnik przejściowy (min): | 15kV/µs |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VO2611
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia