VBP104FASR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VBP104FASR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VBP104FASR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VBP104FASR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VBP104FASR
- Part Number:
- VBP104FASR
- Producent:
- Vishay / Semiconductor - Opto Division
- Opis:
- PHOTODIODE PIN HI SPEED HI SENS
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26994 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- VBP104FASR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Długość fali: | 950nm |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 60V |
| Kąt widzenia: | 130° |
| Zakres widmowy: | 780nm ~ 1050nm |
| Seria: | - |
| Reagowaniu @ nm: | - |
| Czas odpowiedzi: | 100ns |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 2-SMD, Z-Bend |
| Inne nazwy: | 751-1495-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 100°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | PIN |
| szczegółowy opis: | Photodiode 950nm 100ns 130° 2-SMD, Z-Bend |
| Aktualny - Ciemno (Typ): | 2nA |
| Kolor - Ulepszony: | - |
| Obszar aktywny: | 4.4mm² |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VBP104FASR
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen