V23079B1208B301 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla V23079B1208B301, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla V23079B1208B301 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup V23079B1208B301 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
V23079B1208B301
- Part Number:
- V23079B1208B301
- Producent:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- Opis:
- RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 250V
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 43340 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.V23079B1208B301.pdf2.V23079B1208B301.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Włącz napięcie (maks): | 2.25 VDC |
| Wyłącz napięcie (Min): | - |
| Termination Style: | PC Pin |
| przełączanie napięcia: | 250VAC, 220VDC - Max |
| Seria: | V23079, AXICOM |
| Czas Release: | 4ms |
| Relay Type: | General Purpose |
| Opakowania: | Tube |
| Inne nazwy: | 4-1393788-1 PB1877 V23079B1208B301-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Czas zadziałania: | 4ms |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Through Hole |
| Kontakt Ocena (prąd stały): | 2A |
| Materiał styków: | Silver Nickel (AgNi), Gold (Au) |
| Formularz kontaktowy: | DPDT (2 Form C) |
| Napięcie cewki: | 3VDC |
| Coil Type: | Latching, Dual Coil |
| Coil Resistance: | 64 Ohms |
| cewka zasilania: | 140 mW |
| Aktualny Coil: | 46.7mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do V23079B1208B301
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia