V23061B1003A401 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla V23061B1003A401, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla V23061B1003A401 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup V23061B1003A401 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
V23061B1003A401
- Part Number:
- V23061B1003A401
- Producent:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- Opis:
- RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 8A 6V
- Status bezołowiowy:
- Zawiera RoHS / RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40751 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- V23061B1003A401.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Włącz napięcie (maks): | 4.1 VDC |
| Wyłącz napięcie (Min): | 0.6 VDC |
| Termination Style: | PC Pin |
| przełączanie napięcia: | 400VAC - Max |
| Seria: | MSR, SCHRACK |
| Czas Release: | 5ms |
| Relay Type: | General Purpose |
| Opakowania: | Tube |
| Inne nazwy: | 7-1393222-9 7-1393222-9-ND 713932229 PB1753 V23061B1003A401-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Czas zadziałania: | 10ms |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| cechy: | Insulation - Class A, Sealed - Fully |
| szczegółowy opis: | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) 6VDC Coil Through Hole |
| Kontakt Ocena (prąd stały): | 8A |
| Materiał styków: | Silver Cadmium Oxide (AgCdO) |
| Formularz kontaktowy: | SPDT (1 Form C) |
| Napięcie cewki: | 6VDC |
| Coil Type: | Non Latching |
| Coil Resistance: | 165 Ohms |
| cewka zasilania: | 218 mW |
| Aktualny Coil: | 36.3mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do V23061B1003A401
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia