UPD60510BF1-HN4-M1-A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla UPD60510BF1-HN4-M1-A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla UPD60510BF1-HN4-M1-A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup UPD60510BF1-HN4-M1-A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
UPD60510BF1-HN4-M1-A
- Part Number:
- UPD60510BF1-HN4-M1-A
- Producent:
- Renesas Electronics America
- Opis:
- IC MCU 32BIT ROMLESS 324BGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40233 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- UPD60510BF1-HN4-M1-A.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 0.9 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 324-BGA (19x19) |
| Prędkość: | 100MHz |
| Seria: | R-IN32M3 |
| Wielkość pamięci RAM: | 512K x 8 |
| Typ pamięci programu: | ROMless |
| Rozmiar pamięci programu: | - |
| Peryferia: | DMA, WDT |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 324-BGA |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba I / O: | 96 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | ARM® Cortex®-M3 R-IN32M3 Microcontroller IC 32-Bit 100MHz ROMless 324-BGA (19x19) |
| Konwertery danych: | - |
| rdzeń Rozmiar: | 32-Bit |
| Core Processor: | ARM® Cortex®-M3 |
| Łączność: | CANbus, CSI, Ethernet, I²C, UART/USART |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do UPD60510BF1-HN4-M1-A
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił