UP04878G0L jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla UP04878G0L, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla UP04878G0L przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup UP04878G0L z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
UP04878G0L
- Part Number:
- UP04878G0L
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48061 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- UP04878G0L.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 1µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SSMini6-F2 |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 12 Ohm @ 10mA, 4V |
| Moc - Max: | 125mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOT-563, SOT-666 |
| Inne nazwy: | UP04878G0LTR |
| temperatura robocza: | 125°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 12pF @ 3V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | - |
| Rodzaj FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Cecha FET: | Logic Level Gate |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 50V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 100mA 125mW Surface Mount SSMini6-F2 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do UP04878G0L
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash