UP04878G0L متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل UP04878G0L، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل UP04878G0L عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء UP04878G0L مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
UP04878G0L
- رقم القطعة:
- UP04878G0L
- الصانع:
- Panasonic
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 48061 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- UP04878G0L.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 1µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | SSMini6-F2 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12 Ohm @ 10mA, 4V |
| السلطة - ماكس: | 125mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-563, SOT-666 |
| اسماء اخرى: | UP04878G0LTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 125°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 12pF @ 3V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 50V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 100mA 125mW Surface Mount SSMini6-F2 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لUP04878G0L
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
UP04534G0L | Panasonic | TRANS 2NPN 20V 0.015A SSMINI6 | تحقيق |
|
UP04501G0L | Panasonic | TRANS 2NPN 50V 0.1A SSMINI6 | تحقيق |
 |
UP050B101K-KEC | Taiyo Yuden | CAP CER 100PF 50V AXIAL | تحقيق |
|
UP0487C00L | Panasonic | MOSFET 2N-CH 20V 0.1A SSMINI-6 | تحقيق |
|
UP04979G0L | Panasonic | MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6 | تحقيق |
|
UP0460100L | Panasonic | TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6 | تحقيق |
|
UP0459900L | Panasonic | TRANS 2NPN 20V/50V SSMINI6 | تحقيق |
|
UP0487800L | Panasonic | MOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P | تحقيق |
|
UP0459800L | Panasonic | TRANS 2NPN 20V/50V SSMINI6 | تحقيق |
|
UP050B102K-A-B | Taiyo Yuden | CAP CER 1000PF 50V AXIAL | تحقيق |
|
UP050B101K-NAC | Taiyo Yuden | CAP CER 100PF 50V AXIAL | تحقيق |
|
UP04390G0L | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 | تحقيق |
|
UP050B101K-B-B | Taiyo Yuden | CAP CER 100PF 50V AXIAL | تحقيق |
|
UP050B101K-KFC | Taiyo Yuden | CAP CER 100PF 50V AXIAL | تحقيق |
|
UP0453400L | Panasonic | TRANS 2NPN 20V 0.015A SSMINI6 | تحقيق |
|
UP0440100L | Panasonic | TRANS 2PNP 50V 0.1A SSMINI6 | تحقيق |
|
UP050B101K-A-B | Taiyo Yuden | CAP CER 100PF 50V AXIAL | تحقيق |
|
UP050B101J-B-B | Taiyo Yuden | CAP CER 100PF 50V AXIAL | تحقيق |
|
UP0450100L | Panasonic | TRANS 2NPN 50V 0.1A SSMINI6 | تحقيق |
|
UP0497900L | Panasonic | MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6P | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة