UNR221300L jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla UNR221300L, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla UNR221300L przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup UNR221300L z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
UNR221300L
- Part Number:
- UNR221300L
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53079 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- UNR221300L.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 100mA |
| Napięcie - Podział: | Mini3-G1 |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 50V |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Digi-Reel® |
| Opornik - Emiter bazowa (R2) (Ohm): | 47k |
| Opornik - Baza (R1) (Ohm): | 150MHz |
| Moc - Max: | 200mW |
| Polaryzacja: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Inne nazwy: | UNR221300LDKR |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | 47k |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | UNR221300L |
| Częstotliwość - Transition: | 80 @ 5mA, 10V |
| Rozszerzony opis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1 |
| Opis: | TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 500nA |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | NPN - Pre-Biased |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do UNR221300L
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego