UHE2A221MHD6TN jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla UHE2A221MHD6TN, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla UHE2A221MHD6TN przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup UHE2A221MHD6TN z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
UHE2A221MHD6TN
- Part Number:
- UHE2A221MHD6TN
- Producent:
- Nichicon
- Opis:
- CAP ALUM 220UF 20% 100V RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25712 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.UHE2A221MHD6TN.pdf2.UHE2A221MHD6TN.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 100V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.630" Dia (16.00mm) |
| Seria: | UHE |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 791mA @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 1.13A @ 100kHz |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Polar |
| Opakowania: | Tape & Box (TB) |
| Package / Case: | Radial, Can |
| Inne nazwy: | 493-15266-2 493-15266-2-ND 493-15266-3 UHE2A221MHD6TN-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 27 Weeks |
| Żywotność @ Temp.: | 10000 Hrs @ 105°C |
| Główny odstęp: | 0.295" (7.50mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja: | 91 mOhms |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.866" (22.00mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | - |
| szczegółowy opis: | 220µF 100V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C |
| Pojemność: | 220µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do UHE2A221MHD6TN
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia