UCC25600D jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla UCC25600D, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla UCC25600D przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup UCC25600D z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
UCC25600D
- Part Number:
- UCC25600D
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC REG CTRLR HALF-BRIDGE 8SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 46878 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- UCC25600D.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 11.5 V ~ 18 V |
| topologia: | Half-Bridge |
| synchroniczny prostownik: | No |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SOIC |
| Seria: | - |
| Interfejsy szeregowe: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ wyjścia: | Transistor Driver |
| Fazy wyjściowe: | 1 |
| Konfiguracja wyjściowa: | Positive, Isolation Capable |
| Inne nazwy: | 296-23976-5 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Liczba wyjść: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Step-Up/Step-Down |
| Częstotliwość - Przełączanie: | 40kHz ~ 350kHz |
| Cykl pracy (maks.): | - |
| szczegółowy opis: | Half-Bridge Regulator Positive, Isolation Capable Output Step-Up/Step-Down DC-DC Controller IC 8-SOIC |
| Funkcje sterowania: | Current Limit, Frequency Control, Soft Start |
| Synchronizacja zegara: | No |
| Podstawowy numer części: | UCC25600 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do UCC25600D
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia