UC2845BD1013TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla UC2845BD1013TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla UC2845BD1013TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup UC2845BD1013TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
UC2845BD1013TR
- Part Number:
- UC2845BD1013TR
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- IC REG CTRLR BOOST/FLYBACK 8SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 54141 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- UC2845BD1013TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 7.6 V ~ 30 V |
| topologia: | Boost, Flyback |
| synchroniczny prostownik: | No |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SO |
| Seria: | - |
| Interfejsy szeregowe: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ wyjścia: | Transistor Driver |
| Fazy wyjściowe: | 1 |
| Konfiguracja wyjściowa: | Positive, Isolation Capable |
| Inne nazwy: | 497-3679-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Step-Up/Step-Down |
| Częstotliwość - Przełączanie: | 250kHz |
| Cykl pracy (maks.): | 48% |
| szczegółowy opis: | Boost, Flyback Regulator Positive, Isolation Capable Output Step-Up/Step-Down DC-DC Controller IC 8-SO |
| Funkcje sterowania: | Frequency Control |
| Synchronizacja zegara: | No |
| Podstawowy numer części: | UC2845B |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do UC2845BD1013TR
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia