TZV2Z100A110R00 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TZV2Z100A110R00, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TZV2Z100A110R00 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TZV2Z100A110R00 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TZV2Z100A110R00
- Part Number:
- TZV2Z100A110R00
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- CAP TRIMMER 3-10PF 25V SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26740 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TZV2Z100A110R00.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 25V |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.091" W (3.20mm x 2.30mm) |
| Seria: | TZV2 |
| P @ Częstotliwość: | 500 @ 1MHz |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Inne nazwy: | 490-7027-2 TZV2Z100A110R00-ND |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.057" (1.45mm) |
| cechy: | General Purpose |
| Materiał dielektryka: | Ceramic |
| szczegółowy opis: | 3 ~ 10pF Trimmer Capacitor 25V Top Surface Mount |
| Zakres pojemności: | 3 ~ 10pF |
| Typ regulacji: | Top |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TZV2Z100A110R00
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS