TUSB215RGYR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TUSB215RGYR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TUSB215RGYR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TUSB215RGYR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TUSB215RGYR
- Part Number:
- TUSB215RGYR
- Producent:
- TI
- Opis:
- USB2.0 REDRIVER 5V PROTECTION AN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 24751 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TUSB215RGYR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.4 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 14-VQFN (3.5x3.5) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 14-VFQFN Exposed Pad |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | USB |
| szczegółowy opis: | Signal Processing Interface 14-VQFN (3.5x3.5) |
| Aplikacje: | Signal Processing |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TUSB215RGYR
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia