TSM4D887M010AH6410D493 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TSM4D887M010AH6410D493, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TSM4D887M010AH6410D493 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TSM4D887M010AH6410D493 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TSM4D887M010AH6410D493
- Part Number:
- TSM4D887M010AH6410D493
- Producent:
- KEMET
- Opis:
- CAP TANT 880UF 10V 20% SMD
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 24511 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TSM4D887M010AH6410D493.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 10V |
| Rodzaj: | Molded |
| Tolerancja: | ±20% |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.315" L x 0.350" W (8.00mm x 8.90mm) |
| Seria: | TSM |
| oceny: | COTS |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | Stacked SMD, 4 J-Lead |
| Inne nazwy: | 399-6132 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Producent Kod rozmiaru: | 4D |
| Żywotność @ Temp.: | - |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.259" (6.58mm) |
| cechy: | High Reliability |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 125 mOhm |
| szczegółowy opis: | 880µF Molded Tantalum Capacitors 10V Stacked SMD, 4 J-Lead 125 mOhm |
| Pojemność: | 880µF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TSM4D887M010AH6410D493
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash