TS13101M-QFNR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TS13101M-QFNR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TS13101M-QFNR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TS13101M-QFNR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TS13101M-QFNR
- Part Number:
- TS13101M-QFNR
- Producent:
- Semtech
- Opis:
- ISO LATCH RELAY 60V 4A 20QFN
- Wielkość zbiorów:
- 27454 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TS13101M-QFNR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Napięcie - Obciążenie: | 60V (Max) |
| Typ przełącznika: | AC Switch |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 20-PQFN (4x4) |
| Seria: | - |
| Rds On (Typ): | 110 mOhm |
| Ratio - Wejście: Wyjście: | 1:1 |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | 20-VFQFN Exposed Pad |
| Typ wyjścia: | - |
| Konfiguracja wyjściowa: | - |
| Inne nazwy: | TS13101M-QFNRDKR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Berło: | Clock |
| Typ wejścia: | - |
| cechy: | - |
| Ochrona usterek: | Current Limiting |
| Obecny - Wyjście (Max): | 4A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TS13101M-QFNR
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia