TNPW120651R1FHEA jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TNPW120651R1FHEA, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TNPW120651R1FHEA przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TNPW120651R1FHEA z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TNPW120651R1FHEA
- Part Number:
- TNPW120651R1FHEA
- Producent:
- Dale / Vishay
- Opis:
- RES 51.1 OHM 1% 2/5W 1206
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52473 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.TNPW120651R1FHEA.pdf2.TNPW120651R1FHEA.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±1% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±50ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1206 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Seria: | TNPW e3 |
| Tryb panel: | 51.1 Ohms |
| Moc (W): | 0.4W, 2/5W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 1206 (3216 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 155°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 37 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.026" (0.65mm) |
| cechy: | Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 51.1 Ohms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor 1206 (3216 Metric) Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant Thin Film |
| Kompozycja: | Thin Film |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TNPW120651R1FHEA
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia