TLV2622IDR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TLV2622IDR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TLV2622IDR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TLV2622IDR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TLV2622IDR
- Part Number:
- TLV2622IDR
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC OPAMP GP 11MHZ RRO 8SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 27853 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TLV2622IDR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | - |
| Napięcie - Wejście offset: | 2pA |
| Napięcie - Podział: | 8-SOIC |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polaryzacja: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ wyjścia: | Rail-to-Rail |
| Inne nazwy: | 296-10648-2 TLV2622IDRG4 TLV2622IDRG4-ND |
| Orientacja: | 2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba bitów / stages: | 250µV |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Maksymalna moc wyjściowa x Kanały @ obciążenia: | General Purpose |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Numer części producenta: | TLV2622IDR |
| Rozszerzony opis: | General Purpose Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC |
| Opis: | IC OPAMP GP 11MHZ RRO 8SOIC |
| Obecny - Dostawa (Główny IC): | 2.7 V ~ 5.5 V, ±1.35 V ~ 2.75 V |
| Obecny - Dostawa: | 800µA |
| Obecny - diagonalna wejściowe: | 11MHz |
| Kanały na IC: | 28mA |
| 3dB Pasmo: | 7 V/µs |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TLV2622IDR
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS