TLV2352IP jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TLV2352IP, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TLV2352IP przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TLV2352IP z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TLV2352IP
- Part Number:
- TLV2352IP
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC DIFF COMPARATOR DUAL 8-DIP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 31474 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TLV2352IP.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 2 V ~ 8 V |
| Napięcie - Wejście offset (Max): | 5mV @ 5V |
| Rodzaj: | Differential |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-PDIP |
| Seria: | LinCMOS™ |
| Opóźnienie propagacji (Max): | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Typ wyjścia: | CMOS, MOS, Open-Drain, TTL |
| Inne nazwy: | 296-10518-5 TLV2352IPE4 TLV2352IPE4-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Ilość elementów: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 30 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Histereza: | - |
| szczegółowy opis: | Comparator Differential CMOS, MOS, Open-Drain, TTL 8-PDIP |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 400µA |
| Obecny - Wyjście (Typ): | 20mA |
| Obecny - Wejście diagonalna (Max): | 5pA @ 5V |
| CMRR, PSRR (Typ): | - |
| Podstawowy numer części: | TLV2352 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TLV2352IP
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS