TLR3A30DR003FTDG jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TLR3A30DR003FTDG, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TLR3A30DR003FTDG przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TLR3A30DR003FTDG z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TLR3A30DR003FTDG
- Part Number:
- TLR3A30DR003FTDG
- Producent:
- AMP Connectors / TE Connectivity
- Opis:
- RES 0.003 OHM 1% 3W 2512
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 47409 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.TLR3A30DR003FTDG.pdf2.TLR3A30DR003FTDG.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±1% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±50ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 2512 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.252" L x 0.126" W (6.40mm x 3.20mm) |
| Seria: | TLR, CGS |
| Tryb panel: | 3 mOhms |
| Moc (W): | 3W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 2512 (6432 Metric) |
| Inne nazwy: | 2-1879378-5 A129461TR TLR3A30DR003FTDG-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 170°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 42 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.024" (0.60mm) |
| cechy: | Current Sense |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 3 mOhms ±1% 3W Chip Resistor 2512 (6432 Metric) Current Sense Metal Foil |
| Kompozycja: | Metal Foil |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TLR3A30DR003FTDG
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił