TLP5774(E jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TLP5774(E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TLP5774(E przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TLP5774(E z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TLP5774(E
- Part Number:
- TLP5774(E
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- GATE DRIVE COUPLER; LOW INPUT CU
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 54135 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TLP5774(E.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 10 V ~ 30 V |
| Napięcie - Izolacja: | 5000Vrms |
| Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ): | 1.65V |
| Technologia: | Optical Coupling |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | 15ns, 8ns |
| Zniekształcenia szerokości impulsu (maks.): | 50ns |
| Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.): | 150ns, 150ns |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 110°C |
| Liczba kanałów: | 1 |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | 4A Gate Driver Optical Coupling 5000Vrms 1 Channel |
| Obecny - Szczytowa wydajność: | 4A |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 1.2A, 1.2A |
| Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.): | 8mA |
| Współczynnik przejściowy (min): | 35kV/µs |
| Zatwierdzenia: | CQC, cUR, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TLP5774(E
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia