TLP350H(F) jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TLP350H(F), mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TLP350H(F) przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TLP350H(F) z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TLP350H(F)
- Part Number:
- TLP350H(F)
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- X36 PB-F PHOTOCOUPLER THRU HOLE
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 58990 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TLP350H(F).pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 15 V ~ 30 V |
| Napięcie - Izolacja: | 3750Vrms |
| Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ): | 1.55V |
| Technologia: | Optical Coupling |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | 15ns, 8ns |
| Zniekształcenia szerokości impulsu (maks.): | 350ns |
| Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.): | 500ns, 500ns |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba kanałów: | 1 |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | 2.5A Gate Driver Optical Coupling 3750Vrms 1 Channel |
| Obecny - Szczytowa wydajność: | 2.5A |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 3mA, 3mA |
| Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.): | 20mA |
| Współczynnik przejściowy (min): | 20kV/µs |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TLP350H(F)
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen