TLP251(F) jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TLP251(F), mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TLP251(F) przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TLP251(F) z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TLP251(F)
- Part Number:
- TLP251(F)
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- OPTOISO 2.5KV 1CH GATE DRVR 8DIP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48805 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TLP251(F).pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 10 V ~ 30 V |
| Napięcie - Izolacja: | 2500Vrms |
| Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ): | 1.6V |
| Technologia: | Optical Coupling |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-DIP |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | - |
| Zniekształcenia szerokości impulsu (maks.): | - |
| Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.): | 1µs, 1µs |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Inne nazwy: | TLP251F |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 85°C |
| Liczba kanałów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | 400mA Gate Driver Optical Coupling 2500Vrms 1 Channel 8-DIP |
| Obecny - Szczytowa wydajność: | 400mA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 100mA, 100mA |
| Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.): | 20mA |
| Współczynnik przejściowy (min): | 5kV/µs |
| Zatwierdzenia: | UR |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TLP251(F)
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił