TLE4307D V33 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TLE4307D V33, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TLE4307D V33 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TLE4307D V33 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TLE4307D V33
- Part Number:
- TLE4307D V33
- Opis:
- IC REG CHARGEPUMP/LINEAR DPAK-5
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 27202 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TLE4307D V33.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| w / Inspektora: | No |
| w / Sequencer: | No |
| w / LED Driver: | No |
| Napięcie / Prąd - Wyjście 3: | - |
| Napięcie / Prąd - Wyjście 2: | 3.3V, 250mA |
| Napięcie / Prąd - Wyjście 1: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 25 V |
| topologia: | Charge Pump (1), Linear (LDO) (1) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | P-TO252-5 |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Inne nazwy: | SP000012829 TLE4307D V33-ND TLE4307DV33 TLE4307DV33XT |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C |
| Liczba wyjść: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Przełączanie: | - |
| szczegółowy opis: | Linear And Switching Voltage Regulator IC 2 Output Charge Pump (1), Linear (LDO) (1) P-TO252-5 |
| Podstawowy numer części: | TLE4307 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TLE4307D V33
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił