TL082IYDT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TL082IYDT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TL082IYDT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TL082IYDT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TL082IYDT
- Part Number:
- TL082IYDT
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- IC OPAMP JFET 4MHZ 8SO
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49420 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TL082IYDT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V |
| Napięcie - Wejście offset: | 3mV |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SO |
| Szybkość narastania: | 16 V/µs |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ wyjścia: | - |
| Inne nazwy: | 497-10231-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Liczba obwodów: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 38 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zysk Bandwidth Product: | 4MHz |
| szczegółowy opis: | J-FET Amplifier 2 Circuit 8-SO |
| Obecny - Dostawa: | 1.4mA |
| Obecny - Wyjście / Channel: | 40mA |
| Obecny - diagonalna wejściowe: | 20pA |
| Podstawowy numer części: | TL082 |
| Amplifier Type: | J-FET |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TL082IYDT
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen