TK100A08N1,S4X jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TK100A08N1,S4X, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TK100A08N1,S4X przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TK100A08N1,S4X z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TK100A08N1,S4X
- Part Number:
- TK100A08N1,S4X
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30395 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TK100A08N1,S4X.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (maks.): | ±20V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220SIS |
| Seria: | U-MOSVIII-H |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 3.2 mOhm @ 50A, 10V |
| Strata mocy (max): | 45W (Tc) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 Full Pack |
| Inne nazwy: | TK100A08N1,S4X(S TK100A08N1,S4X-ND TK100A08N1S4X |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 9000pF @ 40V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 80V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 80V 100A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TK100A08N1,S4X
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?